Micron Technology, DRAM, yüksek bant genişlikli bellek (HBM) ve NAND için çok nesilli bir yol haritası sundu. Şirket, araştırmalarının ve müşterilerle yakın iş birliğinin gelecekteki istemci ve kurumsal ürünleri desteklemeyi amaçladığını belirtti.
Sunumda, Micron'a göre DDR5 bant genişliğini ikiye katlayacak yeni DDR6 belleğe ve başlığa göre enerji verimliliğini %35 artıracak LPDDR6'ya yer verildi. Her iki ürünün de Micron'un gelecek 1δ DRAM düğümü üzerine kurulduğu belirtildi. Kaynakta bu ürünler için çıkış tarihi veya başka teknik özellik verilmedi.
Micron ayrıca vHBM için dikey entegrasyonu ve 400 katmandan fazla G11 NAND'ı ele aldı. Kaynak özeti, şirketin bugün 1 TB RDIMM bellek modülleri sunduğunu da söylüyor; ancak kullanılabilirlik hakkında ayrıntı vermiyor.
Wccftech'in haberine göre Micron, yapay zekâ yaygınlaştıkça bellek talebinin arttığını düşünüyor. Sunumda yol haritası, bu talebi DRAM, HBM ve NAND genelinde karşılamaya yönelik olarak çerçevelendi; ancak kaynak beklenen talebi ölçmüyor veya belirli müşteri kullanımlarını açıklamıyor.
Yorumlar
0Henüz yorum yok. İlk yorumu siz yazın.