Micron presenta su hoja de ruta para DDR6, LPDDR6 y NAND

Micron Technology presentó una hoja de ruta multigeneracional para DRAM, memoria de alto ancho de banda (HBM) y NAND. La empresa afirmó que su investigación y la estrecha colaboración con sus clientes buscan respaldar futuros productos para clientes y empresas.

La presentación destacó la próxima memoria DDR6, que, según Micron, duplicará el ancho de banda de DDR5, y LPDDR6, que, según el titular, ofrecerá un 35 % más de eficiencia energética. Se describe que ambas se basan en el próximo nodo DRAM 1δ de Micron. La fuente no indica fechas de lanzamiento ni más especificaciones técnicas de estos productos.

Micron también habló de la integración vertical para vHBM y de G11 NAND con más de 400 capas. El resumen de la fuente añade que la empresa ofrece actualmente módulos de memoria RDIMM de 1 TB, aunque no da más detalles sobre su disponibilidad.

Wccftech informa de que Micron percibe un aumento de la demanda de memoria a medida que se expande la IA. La presentación planteó la hoja de ruta como una respuesta a esa demanda en DRAM, HBM y NAND, pero la fuente no cuantifica la demanda prevista ni describe implementaciones concretas de clientes.