SK hynix diskuterar enligt Wccftech produktionsplaner för nästa generations minne med hög bandbredd, iHBM, med partner i leveranskedjan. Samtalen gäller planer på massproduktion.
Vanligt HBM staplar DRAM-lager ovanpå varandra och en baskrets. Det kan göra det svårt att leda bort värme, eftersom kylning, till exempel en kylfläns eller vätskekylare, sitter ovanför stapeln.
Enligt rapporten har SK hynix integrerat kylelement direkt i HBM-paketet för iHBM. Konstruktionen siktar på att förbättra värmetåligheten med 30 %. Rapporten anger ingen tidsplan för produktionen och ger inga ytterligare detaljer om kylelementen.
Kommentarer
0Inga kommentarer ännu. Skriv den första.