Micron presenterar en färdplan för DDR6, LPDDR6 och NAND

Micron Technology presenterade en färdplan över flera generationer för DRAM, minne med hög bandbredd (HBM) och NAND. Företaget uppgav att forskningen och det nära samarbetet med kunder ska stödja framtida produkter för klienter och företag.

Presentationens höjdpunkter var det kommande DDR6-minnet, som enligt Micron ska fördubbla bandbredden jämfört med DDR5, och LPDDR6, som enligt rubriken ska ge 35 % bättre energieffektivitet. Båda beskrivs som byggda på Microns kommande 1δ DRAM-nod. Källan anger inga lanseringsdatum eller ytterligare tekniska specifikationer för produkterna.

Micron tog också upp vertikal integration för vHBM och G11 NAND med fler än 400 lager. Enligt källans sammanfattning erbjuder företaget dessutom 1 TB RDIMM-minnesmoduler redan i dag, men den ger inga ytterligare uppgifter om tillgänglighet.

Wccftech rapporterar att Micron ser en ökad minnese­fterfrågan i takt med att AI växer. Presentationen beskrev färdplanen som ett sätt att möta efterfrågan inom DRAM, HBM och NAND, men källan kvantifierar inte den förväntade efterfrågan eller beskriver specifika kundinstallationer.