Samsung’ın HBM Taban Kalıbı Çalışmaları 2 nm 5G Modem Geliştirmesini Destekleyebilir

Wccftech’in haberine göre Samsung’ın yüksek bant genişlikli bellek (HBM) taban kalıpları geliştirmesi, şirketin 2 nm 5G modemini ilerletmesine yardımcı olabilir. Haberde, Samsung’ın M2800 modemini 4 nm sürecinden 2 nm sürecine taşıdığı belirtiliyor.

Habere göre bu geçiş gerçekleşirse Samsung, temel bant yongalarından birinde kullanılan üretim sürecini ilk kez yükseltmiş olacak. Haber, bu adımı Samsung’ın HBM taban kalıbı çalışmalarına bağlıyor; bu çalışmalar, şirketin 2 nm düğümünde bileşen üretimini araştırması için kaynak yaratmış olabilir.

Haberde ayrıca Samsung’ın HBM taban kalıpları için 4 nm kapasitesini yeniden düzenlediği aktarılıyor. Bu, şirkete 2 nm bileşenler geliştirmek için daha fazla alan açabilir ve potansiyel olarak Qualcomm’ı müşteri olarak çekmesine yardımcı olabilir. Böylece Qualcomm, TSMC’ye olası bir dökümhane alternatifi bulabilir. Kaynak, bunu doğrulanmış bir anlaşma olarak değil, ihtimal olarak sunuyor.