Samsungs arbete med HBM-baskedjor kan stödja utvecklingen av ett 2 nm 5G-modem

Enligt Wccftech kan Samsungs utveckling av basdies för minne med hög bandbredd (HBM) hjälpa företaget att utveckla sitt 2 nm 5G-modem. Artikeln uppger att Samsung flyttar sitt M2800-modem från en 4 nm-process till en 2 nm-process.

Om övergången genomförs blir det första gången Samsung uppgraderar tillverkningsprocessen för ett av sina basbandschip, enligt artikeln. Den kopplar förändringen till Samsungs arbete med HBM-baser, som kan ha frigjort resurser för att undersöka komponenttillverkning på 2 nm-noden.

Artikeln uppger också att Samsung omorganiserar 4 nm-kapacitet för HBM-baser. Det kan ge företaget större utrymme att utveckla komponenter på 2 nm och eventuellt hjälpa det att locka Qualcomm som kund. Det skulle kunna ge Qualcomm ett möjligt alternativ till TSMC som foundry. Källan beskriver detta som en möjlighet, inte som ett bekräftat avtal.