Naura, 3D DRAM üretimi için aşındırma atılımı yaptığını açıkladı

Çinli yarı iletken ekipmanı üreticisi Naura Technology Group, 3D DRAM çipleri üretmek için iki aşamalı bir aşındırma süreci geliştirdiğini açıkladı.

Şirket, IEEE dergisinde yayımlanan bir makalede 3D DRAM'in 64 katmanı boyunca eşit aşındırma konusunda ilerleme kaydedildiğini anlattı. Bu çalışma, non-EUV litografinin karşılaştığı yatay sınırlara karşı üretim odağını dikey yapılara taşıyor.

3D DRAM, mevcut DRAM tasarımlarının hücre yoğunluğu sınırlarını aşmayı amaçlayan yeni nesil bir bellek teknolojisi olarak geliştiriliyor. Naura, Çin'de yarı iletken üretim ekipmanlarının önemli yerli tedarikçilerinden biri.

Kaynakta aktarılan süreç, EUV teknolojisine erişimi etkileyen kısıtlamalar altında çalışan Çinli bellek üreticisi CXMT için önemli olabilir. Ancak kaynak, Naura'nın iddiasını aktarıyor; CXMT'nin süreci benimsediğini veya bu kısıtlamaları aştığını doğrulamıyor.