Intel ha producido su 1 millonésima oblea de prueba para litografía high-NA EUV, según Wccftech. El hito se presenta como una señal de que Intel aventaja 2-4 años a Samsung y TSMC en esta tecnología.
El informe también destaca el crecimiento de la capacidad de Intel para el empaquetado avanzado con EMIB-T. UBS considera que Intel puede satisfacer la creciente demanda de MediaTek relacionada con TPU para el empaquetado avanzado EMIB-T y empaquetar más de 2 millones de sustratos de aquí a 2028.
La evaluación de UBS relaciona esta oportunidad con la estrategia de ejecución y los rendimientos de Intel en EMIB-T. Según el informe, el sector se muestra cada vez más optimista sobre la posición de Intel en el empaquetado avanzado.
El progreso de Intel en high-NA EUV y EMIB-T corresponde a dos partes distintas de su estrategia de fabricación: la tecnología de litografía y el empaquetado avanzado. La 1 millonésima oblea de prueba está vinculada a high-NA EUV, mientras que la previsión de capacidad se refiere a los sustratos EMIB-T y a la demanda de MediaTek relacionada con TPU.
El informe disponible no ofrece más detalles sobre el proceso de producción de la oblea de prueba, la identidad de los productos empaquetados ni el valor financiero del posible negocio. Sus afirmaciones centrales son la ventaja comunicada de Intel en high-NA EUV, el hito de la 1 millonésima oblea de prueba, la evaluación de UBS sobre EMIB-T y la previsión de más de 2 millones de sustratos para 2028.
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