Equipos chinos informan de un avance de memoria con 10.000 millones de ciclos de escritura y 100 veces más resistencia

Investigadores de China parecen haber desarrollado un diseño de memoria capaz de completar unos 10.000 millones de ciclos de escritura, según TechRadar y el autor Christian Cawley. Esto supondría 100 veces el límite anterior informado para esta tecnología.

Equipos de Xidian University trabajaron con City University of Hong Kong y Fudan University en el estudio, publicado recientemente en Science. La investigación se centra en ferroeléctricos de wurtzita, incluido el nitruro de aluminio y escandio (AlScN), un material compatible con los procesos de fabricación de semiconductores que ya se utilizan.

Los chips AlScN desarrollados anteriormente fallaban después de unos 100 millones de ciclos de escritura. Los investigadores relacionaron ese problema de fiabilidad con la ausencia de átomos de nitrógeno, conocida como vacantes de nitrógeno. Durante la conmutación repetida, las vacantes podían desplazarse y agruparse, creando vías por las que se filtraba la electricidad.

El equipo diseñó una estructura destinada a reducir las vacantes de nitrógeno y ralentizar el deterioro del material. Wang Ruiqing, investigador doctoral de Xidian University y uno de los autores del artículo, comparó el material con un campo de maíz al que le faltan algunas plantas. Wang afirmó que los investigadores habían observado antes los síntomas de fallo, pero no habían podido explicar a escala atómica qué se movía ni cómo ese movimiento provocaba el fallo.

Si el método funciona, la RAM y el almacenamiento basados en AlScN podrían respaldar futuros centros de servidores y proporcionar infraestructura para modelos de lenguaje de mayor tamaño y sistemas de inteligencia artificial. La fuente lo presenta como una posibilidad futura, no como un producto comercial actual.