El fabricante chino de equipos para semiconductores Naura Technology Group afirma haber desarrollado un proceso de grabado en dos etapas para fabricar chips 3D DRAM.
En un artículo publicado por Naura en una revista de IEEE, la empresa describe avances para realizar un grabado uniforme en las 64 capas de la 3D DRAM. El trabajo orienta la fabricación hacia estructuras verticales para abordar las limitaciones horizontales asociadas con la litografía no EUV.
La 3D DRAM se desarrolla como una tecnología de memoria de próxima generación que busca aumentar la densidad de celdas más allá de los límites de los diseños actuales de DRAM. Naura es uno de los principales proveedores nacionales de equipos para la fabricación de semiconductores en China.
El proceso descrito podría ser relevante para el fabricante chino de memoria CXMT, que trabaja bajo restricciones relacionadas con el acceso a la tecnología EUV. Sin embargo, la fuente presenta la afirmación de Naura y no confirma que CXMT haya adoptado el proceso ni que ya haya superado esas restricciones.
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