YMTC está preparando un prototipo de arquitectura de celda de memoria diseñado para sortear límites asociados a su tecnología de litografía, según Wccftech. La velocidad indicada para el prototipo es de 9.600 MT/s.
El artículo señala que YMTC sigue los pasos de CXMT, que también apuesta por la arquitectura 4F². Describe este enfoque como una forma de que los fabricantes chinos de memoria afronten las limitaciones vinculadas a la litografía ultravioleta profunda (DUV), en un contexto de acceso restringido a la tecnología ultravioleta extrema (EUV).
Una celda de memoria 4F² utiliza un transistor y un condensador, dispuestos para reducir el espacio que ocupa cada celda. La arquitectura se presenta como una posible vía para lograr una memoria más densa, aunque el fragmento no especifica la capacidad ni el calendario de producción del prototipo de YMTC.
Por su parte, Micron ha calificado de «mito» las ventajas de miniaturización atribuidas a 4F² y está trabajando en 3D DRAM, según Wccftech. Los distintos enfoques reflejan la cuestión de si los fabricantes pueden obtener mejoras prácticas de densidad con el diseño 4F² dadas sus limitaciones de fabricación.
La cifra de 9.600 MT/s es la velocidad de funcionamiento indicada para el prototipo; el fragmento disponible no establece que vaya a convertirse en un producto comercial ni confirma que esté disponible en el mercado.
Comentarios
0Aún no hay comentarios. Escribe el primero.