Kioxia desarrolla productos flash y CXL para reducir la dependencia de DRAM en los centros de datos de IA

Kioxia está desarrollando productos de memoria flash diseñados para ayudar a los centros de datos a reducir su dependencia de la costosa DRAM, mientras las cargas de trabajo de IA requieren más memoria. Su estrategia combina NAND más rápida con interfaces diseñadas para sistemas de IA exigentes.

La empresa muestra sus SSD NVMe GP1 Series PCIe 6.0, diseñados para un elevado número de operaciones de entrada y salida en infraestructuras de IA. Estas unidades permiten la comunicación directa entre las GPU y el almacenamiento. Kioxia también presenta sus SSD empresariales CM10 Series y sus unidades para centros de datos NX1 Series, compatibles con refrigeración líquida. CM10 utiliza la tecnología BiCS FLASH de décima generación de Kioxia, mientras que NX1 tiene un diseño E1.S con conectividad PCIe 5.0.

XL1 Series, de Kioxia, es un módulo de expansión de memoria compatible con CXL y basado en la tecnología XL FLASH. La empresa afirma que combinar NAND de alta velocidad con un módulo controlador CXL reduce la latencia de lectura de datos a menos de una décima parte de la de los productos NAND convencionales.

Kioxia afirma que sustituir parte de la DRAM de un sistema por módulos CXL puede duplicar la capacidad de memoria y mejorar el rendimiento un 30%. Sin embargo, la NAND sigue siendo más lenta que la DRAM, por lo que la estrategia de la empresa es complementar la memoria existente en lugar de eliminar la DRAM.

Está previsto entregar unidades de evaluación a socios tecnológicos durante August 2026. Kioxia planea presentar estas tecnologías en FMS 2026, en Santa Clara, California, mediante presentaciones, sesiones técnicas y demostraciones en directo.