Intel 2–4 år före Samsung och TSMC inom high-NA EUV efter 1 miljonte testwafern

Intel har producerat sin 1 miljonte testwafer för litografi med high-NA EUV, enligt Wccftech. Milstolpen beskrivs som ett tecken på att Intel ligger 2–4 år före Samsung och TSMC inom tekniken.

Rapporten lyfter också fram Intels växande kapacitet för avancerad paketering med EMIB-T. UBS bedömer att Intel kan möta MediaTeks ökande TPU-relaterade efterfrågan på EMIB-T och paketera mer än 2 miljoner substrat före 2028.

UBS bedömning kopplar möjligheten till Intels genomförandestrategi och utbyte inom EMIB-T. Enligt rapporten blir branschen allt mer optimistisk kring Intels position inom avancerad paketering.

Intels framsteg inom high-NA EUV och EMIB-T gäller två separata delar av företagets tillverkningsstrategi: litografiteknik och avancerad paketering. Den 1 miljonte testwafern hör ihop med high-NA EUV, medan kapacitetsprognosen gäller EMIB-T-substrat och MediaTeks TPU-relaterade efterfrågan.

Den tillgängliga rapporten ger inga ytterligare detaljer om testwaferns tillverkningsprocess, vilka produkter som paketeras eller det möjliga affärsvärdet. Kärnpåståendena är Intels rapporterade försprång inom high-NA EUV, milstolpen med den 1 miljonte testwafern, UBS bedömning av EMIB-T och prognosen på mer än 2 miljoner substrat före 2028.