Rapora göre YMTC NAND’de 1 yıl, CXMT DRAM’de 2 ve HBM’de 3 yıl geride

Korea Semiconductor Industry Association, Çin’in bellek yongası sektörünün kolektif Batı ile arasındaki teknoloji farkını daralttığını söylüyor. Değerlendirme, NAND alanında YMTC’yi, DRAM ve HBM alanlarında ise CXMT’yi kapsıyor.

Korea JoongAng Daily’nin aktardığı ve Wccftech’in haberleştirdiği verilere göre YMTC, NAND teknolojisinde Batı’nın yaklaşık 1 yıl gerisinde. CXMT ise DRAM’de yaklaşık 2 yıl, HBM’de 3 yıl geride.

Değerlendirme, bellek yongası üretim süreçlerindeki önceki farkın yaklaşık 5 yıl olmasına kıyasla önemli bir değişime işaret ediyor. Eldeki kaynak, karşılaştırmaya hangi belirli teknolojilerin, ürünlerin veya üretim tesislerinin dahil edildiğine dair ek ayrıntı vermiyor.

Bu rakamlar Korea Semiconductor Industry Association’a atfediliyor ve tahmini bir teknoloji farkını ifade ediyor. Tek başına bu veriler, iki şirketten birinin her bellek yongası sürecinde veya ürün kategorisinde Batı ile aynı düzeye geldiğini göstermiyor.