Kinesiska forskarlag rapporterar minnesgenombrott med 10 miljarder skrivcykler och 100 gånger längre hållbarhet

Forskare i Kina verkar ha utvecklat en minnesdesign som kan klara omkring 10 miljarder skrivcykler, enligt TechRadar och skribenten Christian Cawley. Det skulle vara 100 gånger mer än den tidigare gräns som rapporterats för tekniken.

Forskargrupper vid Xidian University samarbetade med City University of Hong Kong och Fudan University i studien, som nyligen publicerades i Science. Arbetet gäller wurtzitferroelektriska material, bland annat aluminiumskandium­nitrid (AlScN), som är kompatibelt med halvledartillverkningsprocesser som redan används.

Tidigare AlScN-chip hade slutat fungera efter omkring 100 miljoner skrivcykler. Forskarna kopplade tillförlitlighetsproblemet till saknade kväveatomer, så kallade kvävevakanser. När materialet växlade upprepade gånger kunde vakanserna flytta sig och samlas i kluster, vilket skapade vägar där elektricitet kunde läcka.

Forskargruppen utformade en struktur som ska minska antalet kvävevakanser och bromsa materialets försämring. Wang Ruiqing, doktorand vid Xidian University och en av studiens författare, jämförde materialet med ett majsfält där vissa plantor saknas. Wang sade att forskare tidigare hade sett tecken på att enheterna gick sönder, men inte kunnat förklara på atomnivå vad som rörde sig eller hur rörelsen orsakade felet.

Om metoden fungerar kan AlScN-baserat RAM och lagring stödja framtida serverhallar och bidra med infrastruktur för större språkmodeller och system för artificiell intelligens. Källan beskriver detta som en möjlig framtida utveckling, inte som en kommersiell produkt i dag.